Transistor IRF630 - MOSFET de Canal N TO-220

Transistor IRF630 - MOSFET de Canal N TO-220

Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), muito indicado para aplicações PWM ou para circuitos que necessitem de uma alta velocidade de comutação.

Encapsulado no formato TO-220 universalmente preferido para todas as aplicações comerciais-industriais em níveis de dissipação de energia de aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo da embalagem do TO-220 contribuem para sua ampla aceitação em toda a indústria.

Especificações Técnicas:

Transistor IRF630 - MOSFET de Canal N TO-220 - Datasheet

Modelo: IRF630

Encapsulamento: TO-220 3 Pinos

Tensão VDS Drain-source: 200V

Corrente de drenagem: 9A

Dissipação de potência total: 120W

Temperatura da junção: 175 Graus Celsius

Temperatura de Operação: -55 a +175 Graus Celsius

3 Terminais

Cor: Preto

Tamanho: 3mm Largura x 3mm Profundidade x 3mm Altura 

Peso: 2g

Conteúdo da Embalagem:

01 Transistor IRF630 - MOSFET de Canal N TO-220